반도체 소자 실효 분석

유얼홍신검측은 반도체부품의 표면으로부터 내부에 이르는 전반 계렬시험능력을 갖고있고 ESD테스트, FIB테스트, 공업CT스캔, 홍잉크실험, 절편분석, 이온크로마토그래프 등 항목을 전부 피복하여 허위용접, 갈라짐, 이온잔류 등 문제를 능률적으로 식별할수 있으며 전문기구에 의탁하여 정확한 검측을 실현하고 전자부품의 품질관리통제에 조력할수 있다.

반도체 소자 실효 분석단계

실제 작업에서 완전한반도체 소자 실효 분석일반적으로"선외후내, 선무손상후파괴"의 기본원칙을 따른다

1. 실효 현상 수집 및 고장 포지셔닝

이것이 모든 분석의 시작점입니다.당신은 가능한 한 상세하게 기록해야 한다:

실효 현상: 작동하지 않는 것입니까, 아니면 파라미터가 표류하거나 간헐적인 고장입니까?

고장 환경: 어떤 테스트 또는 사용 조건에서 발생했습니까?

실효 비율: 개별 현상입니까 아니면 차등 문제입니까?

현상에 근거하여 IV 곡선 테스트와 같은 전기 성능 테스트와 외관 검사를 통해 실효의 대략적인 부위를 초보적으로 잠급니다.

2. 비파괴적 분석

견본에 파괴를 초래하지 않는 전제하에 각종 기구를 충분히 리용하여 조사를 진행한다.

외관검사: 광학현미경을 사용하여 자세히 검사하여 변색, 균열, 오염 등 미세한 이상을 찾는다.

전기 특성 테스트: IV 곡선 테스트는 실효 발에 단락, 개로, 누전 등 고저항 문제가 있는지 매우 빠르게 확인할 수 있다.

내부 패브릭 손상 없음 검사:

PCB 내부 경로설정, 용접점 (특히 BGA) 등의 경우 X-Ray 원근은좋은 선택.

초음파 (C-SAM) 는 플라스틱 봉인 부품이 습기를 받은 후 계층화, PCB 폭판 등에 있어서 인터페이스 결함에 매우 민감하기 때문에 특히 효과적이다.

3. 파괴적 분석 기술

무손실 분석이 근본 원인을 확인할 수 없을 때 권한을 부여받은 후 파괴적 분석이 필요하다.

슬라이스 분석: PCB 통공, 용접점 등 내부 미시적 구조를 관찰하는 고전적인 방법이다.샘플링, 상감, 절편, 포마, 부식 등 일련의 절차를 통해 현미경으로 관찰할 수 있는 횡단면을 제조한다.

이온 연마: 이것은 현재 더욱 선진적인 샘플링 기술이다.전통적인 기계 광택은 스크래치나 연마재 오염을 도입할 수 있지만, 이온 연마는 이온 빔을 이용하여 절삭과 광택을 진행하여 응력이 없고 오염이 없는 단면을 얻을 수 있어 SEM에서 관찰된 이미지를 더욱 사실적이고 선명하게 할 수 있다.

SEM/EDS 분석: 제조된 절편을 스캐닝 렌즈 (SEM) 에 넣으면 금속 간 화합물, 미세 균열, 주석 수염 등 극히 미세한 미시적 구조를 관찰할 수 있다.에너지 분광기(EDS)와 함께 미세 영역의 원소 성분을 정성 내지 반정량 분석해 오염물질이나 부식물의 출처를 판단하는 데도 도움을 준다.

개봉 분석: 실효가 칩 내부에 위치하면 SEM으로 내부의 화상, 뚫기 등의 결함을 관찰하기 위해 화학 개봉 (외부 플라스틱 패키지를 산으로 부식) 이나 물리적 방법으로 칩 웨이퍼를 노출시켜야 한다.

4. 종합적으로 분석하여 결론을 내리다.

마지막으로 얻은 모든 데이터, 이미지와 사실을 종합적으로 논리적으로 추리하여 실효 기리 (예를 들어 정전기 손상, 기계 응력, 전기 이동 등) 를 확정하고 최종적으로 근본 원인을 찾아내 구조가 뚜렷한 실효 분석 보고서를 형성하여 후속적인 품질 개선에 방향을 제공해야 한다.

반도체 소자 실효 분석기술 수단